1.“電壓(v)/度”旋鈕開關(guān)　此旋鈕開關(guān)是一個具有4種偏轉(zhuǎn)作用共17擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀x軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置VCE的有關(guān)擋。測量輸入特性曲線時，該旋鈕置VBE的有關(guān)擋。

　　2.“電流/度”旋鈕開關(guān)　此旋鈕開關(guān)是一個具有4種偏轉(zhuǎn)作用共22擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀Y軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置Ic的有關(guān)擋。測量輸入特性時，該旋鈕置“基極電流或基極源電壓”擋(儀器面板上畫有階梯波形的一擋)。

　　3.“峰值電壓范圍”開關(guān)和“峰值電壓%”旋鈕 峰值電壓范圍’’是5個擋位的按鍵開關(guān)。“峰值電壓%”是連續(xù)可調(diào)的旋鈕。它們的共同作用是用來控制“集電極掃描電壓”的大小。不管“峰值電壓范圍”置于哪一擋，都必須在開始時將“峰值電壓%”置于0位，然后逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測管。一個管子測試完畢后，“峰值電壓%”旋鈕應(yīng)回調(diào)至零。

　　4.“功耗限制電阻”旋鈕　　“功耗限制電阻”相當于晶體管放大器中的集電極電阻，它串聯(lián)在被測晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間，用來調(diào)節(jié)流過晶體管的電流，從而限制被測管的功耗。測試功率管時，一般選該電阻值為1kΩ。

　　5.“基極階梯信號”旋鈕　　此旋鈕給基極加上周期性變化的電流信號。每兩級階梯信號之間的差值大小由“階梯選擇毫安/級”來選擇。為方便起見，一般選10μA。每個周期中階梯信號的階梯數(shù)由“級族”來選擇，階梯信號每簇的級數(shù)，實際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數(shù)。階梯信號每一級的毫安值的大小，就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。

　　6.“零電壓”、“零電流”開關(guān)此開關(guān)是對被測晶體管基極狀態(tài)進行設(shè)置的開關(guān)。當測量管子的擊穿電壓和穿透電流時，都需要使被測管的基極處于開路狀態(tài)。這時可以將該開關(guān)設(shè)置在“零電流”擋(只有開路時，才能保證電流為零)。當測量晶體管的擊穿電流時，需要使被測管的基、射極短路，這時可以通過將該開關(guān)設(shè)置在“零電壓”擋來實現(xiàn)。

　　1.“電壓(v)/度”旋鈕開關(guān)

　　此旋鈕開關(guān)是一個具有4種偏轉(zhuǎn)作用共17擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀x軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置VCE的有關(guān)擋。測量輸入特性曲線時，該旋鈕置VBE的有關(guān)擋。

　　2.“電流/度”旋鈕開關(guān)

　　此旋鈕開關(guān)是一個具有4種偏轉(zhuǎn)作用共22擋的旋鈕開關(guān)，用來選擇圖示儀Y軸所代表的變量及其倍率。在測試小功率晶體管的輸出特性曲線時，該旋鈕置Ic的有關(guān)擋。測量輸入特性時，該旋鈕置“基極電流或基極源電壓”擋(儀器面板上畫有階梯波形的一擋)。

　　3.“峰值電壓范圍”開關(guān)和“峰值電壓%”旋鈕 峰值電壓范圍’’是5個擋位的按鍵開關(guān)。

　　“峰值電壓%”是連續(xù)可調(diào)的旋鈕。它們的共同作用是用來控制“集電極掃描電壓”的大小。不管“峰值電壓范圍”置于哪一擋，都必須在開始時將“峰值電壓%”置于0位，然后逐漸小心地增大到一定值。否則容易損壞被測管。一個管子測試完畢后，“峰值電壓%”旋鈕應(yīng)回調(diào)至零。

　　4.“功耗限制電阻”旋鈕

　　“功耗限制電阻”相當于晶體管放大器中的集電極電阻，它串聯(lián)在被測晶體管的集電極與集電極掃描電壓源之間，用來調(diào)節(jié)流過晶體管的電流，從而限制被測管的功耗。測試功率管時，一般選該電阻值為1kΩ。

　　5.“基極階梯信號”旋鈕

　　此旋鈕給基極加上周期性變化的電流信號。每兩級階梯信號之間的差值大小由“階梯選擇毫安/級”來選擇。為方便起見，一般選10μA。每個周期中階梯信號的階梯數(shù)由“級族”來選擇，階梯信號每簇的級數(shù)，實際上就是在圖示儀上所能顯示的輸出特性曲線的根數(shù)。階梯信號每一級的毫安值的大小，就反映了圖示儀上所顯示的輸出特性曲線的疏密程度。

　　6.“零電壓”、“零電流”開關(guān)此開關(guān)是對被測晶體管基極狀態(tài)進行設(shè)置的開關(guān)。

　　當測量管子的擊穿電壓和穿透電流時，都需要使被測管的基極處于開路狀態(tài)。這時可以將該開關(guān)設(shè)置在“零電流”擋(只有開路時，才能保證電流為零)。當測量晶體管的擊穿電流時，需要使被測管的基、射極短路，這時可以通過將該開關(guān)設(shè)置在“零電壓”擋來實現(xiàn)。